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周三(7月29日)纽约尾盘,美国10年期基准国债收益率涨7.10个基点,报4.6773%,日内交投于4.6042%-4.6956%区间,北京时间02:00美联储宣布按兵不动时刷新日低(日内整体上仅仅短暂地微幅下跌),美联储主席沃什新闻发布会结束后、在04:16刷新日高,逼近7月24日顶部4.7117%、2025年1月14日顶部4.8069%、以及2023年10月23日顶部5.0187%。两年期美债收益率跌1.44个基点,报4.2726%,日内交投于4.3345%-4.2150%区间,利率决议声明发布时跳水、逼近4.24%,沃什新闻发布会结束后迅速刷新日低。

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美联储公布利率决议及货币政策声明
美联储主席沃什召开货币政策新闻发布会
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英国央行利率决议













































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长鑫科技(688825.SH)登陆科创板,首日暴涨465%,市值超3万亿登顶A股。本文深度解析募资规模、业绩爆发、产业链影响及全球格局,附常见问题解答。
国产DRAM龙头长鑫科技以465.82%的首日涨幅登陆科创板,市值一举超越工商银行登顶A股,这场融资666亿元的资本盛宴将如何改变中国半导体产业格局?
2026年7月27日,注定将被载入中国资本市场史册。这一天,国产DRAM龙头企业长鑫科技(688825.SH)正式登陆上海证券交易所科创板,以一场堪称狂热的首秀,改写了A股多项历史纪录。

长鑫科技本次发行价格为8.66元/股,发行后总股本为668.81亿股(超额配售选择权行使前),对应发行总市值5791.88亿元。若超额配售选择权全额行使,预计募集资金总额可达666.07亿元——这一规模不仅超过了2020年中芯国际创下的532.30亿元纪录,更使长鑫科技成为科创板开板以来募资规模最大的IPO。
从A股历史来看,长鑫科技的募资规模已跻身历史前五,仅次于农业银行、中国石油、中国神华及建设银行,成为A股史上最大科技股IPO。
上市首日,长鑫科技以49.5元开盘,较发行价涨幅高达471.59%,总市值一度突破3.31万亿元。截至收盘,股价报49.00元,涨幅465.82%,总市值稳定在3.28万亿元,一举超越工商银行,成为A股新的市值“一哥”。
更令人瞩目的是交易活跃度。上市首日,长鑫科技换手率高达66%,全日成交额达1411.87亿元,成为A股历史上首只单日成交额突破千亿元的个股。这意味着上市首日约三分之二的可流通筹码完成了交换,多空博弈极为激烈。
长鑫科技成立于2016年,总部位于安徽合肥,由知名芯片企业家朱一明创办。公司专注于DRAM(动态随机存取存储器)的研发、设计与生产,采用IDM全产业链模式,覆盖芯片研发、晶圆制造、封装测试、模组生产到终端销售全部环节。
从亏损百亿到日赚近2.7亿,长鑫科技仅用了三年时间,成功跨过了DRAM制造企业最凶险的“死亡谷”。
据市场研究机构Omdia数据,按2025年第四季度DRAM销售额统计,长鑫科技全球市场份额已达7.67%,位列全球第四、中国第一。而据Counterpoint Research数据,2026年一季度按收入计,长鑫科技全球份额已进一步增长至8%。
目前,全球范围内具备DRAM完整IDM能力的企业仅有四家:三星电子、SK海力士、美光科技与长鑫科技。三大巨头合计占据全球90%以上的市场份额,而长鑫科技正凭借技术突破与产能爬坡,逐步改变全球市场的竞争版图。
在产能方面,长鑫存储的月产能预计到2026年末将超过30万张晶圆,接近美光科技的水平。但在技术层面,长鑫存储与行业巨头仍存在约2代、3年的差距——三巨头已采用“1c”最新工序,而长鑫存储正处于从“1a”向最新型过渡的阶段。
不过,在AI投资持续增加的背景下,全球DRAM价格在过去一年中涨至约6倍。长鑫存储已完成从DDR4到DDR5的全面切换,2025年推出的LPDDR5X产品最高速率可达10667Mbps,性能对标国际一线厂商主流产品。客户名单已涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等中国科技“全明星”阵容。
长鑫科技5791.88亿元的发行估值,与市场此前预期的“万亿市值”存在差距,一度引发热议。从静态市盈率看,8.66元发行价对应的2025年度摊薄后静态市盈率为308.92倍,远高于行业平均。但若将2026年上半年预计归母净利润简单年化,对应市盈率仅为5.1倍至5.8倍。两者差异源于公司盈利在短期内的大幅增长。
多位市场专家表示,长鑫科技的发行定价充分考虑了企业当下的实际情况,审慎定价既不过度透支未来的积极预期,也给企业随着发展的价值成长留足空间。
上市当日,国际投行野村证券发布首次覆盖研报,给予“买入”评级,目标价看至116元/股,对应市值约7.76万亿元人民币(约合1万亿美元)。野村基于2028年预期每股收益5.8元、20倍目标市盈率的估值逻辑,预测长鑫存储在2026-2028财年的销售额和归母净利润复合年增长率将分别达到63%和74%。
东北证券则从三个独立视角为长鑫估值,结论收敛在3.2万亿至5.7万亿元区间。另有券商在保守、中性、乐观、超乐观四种情景下,对应估值为1万亿元、1.5万亿元、2.3万亿元和4.25万亿元。
长鑫科技的上市,被业内视为A股存储板块补上了关键产业拼图。从上游设备材料到芯片设计制造,再到下游模组封装,国产替代的故事正从“概念验证”进入“业绩兑现”阶段。
募集资金将全部围绕主营业务投入三大方向:
上述项目中,前两项直接指向晶圆厂产能扩张和工艺升级——合计约205亿元资金将在未来两至三年内以设备采购的形式流入半导体设备和材料产业链。在DRAM生产中,刻蚀与薄膜沉积有望成为价值量最高的环节。
长鑫科技目前已在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,预计2026年全部达产。同时还在建设合肥肥西测试基地新产线,以及新建上海DRAM及HBM产线。产能布局已横跨合肥、上海、北京三大生产基地。
多家机构建议关注三条投资主线:
长鑫科技预计将于上市满3个月后纳入上证科创板综合指数。一旦市值超3万亿元的长鑫科技纳入其中,在科创综指中的市值权重可能超过20%,对指数的波动将有重大影响。
对于上证科创50指数,长鑫科技符合超大市值新股的快速纳入机制。若上市以来日均总市值排名在科创板前3位且上市时间满1个月,经指数专家委员会审议通过后,即可在最近的季度调样窗口期纳入。机构预计长鑫科技最快于2026年9月或12月被纳入科创50指数。
长鑫科技纳入科创50后,将推动指数从芯片代工单龙头格局转向“代工+存储”的双核结构,显著提升科创50指数对硬科技板块的代表性。被动ETF、指数增强基金都需要进行批量调仓,这一过程会分流原有半导体成分股的存量资金,同时带动存储上下游设备、材料板块的估值修复。
短期来看,长鑫科技上市后会阶段性分流科创板的存量流动性;中长期来看,将吸引社保、外资增配科创板主线,提振板块估值中枢。
长鑫科技的上市引发了国际媒体的广泛关注。英国《金融时报》报道称,长鑫科技已成为“全球第四大DRAM生产商”,并认为长鑫存储的崛起代表着中国成功推动构建了不受美国关键技术出口管制影响的自主国内AI供应链。
美国消费者新闻与商业频道(CNBC)指出,这使得总部位于合肥的长鑫科技上市成为2026年亚洲规模最大的IPO。
有分析指出,如果长鑫存储通过扩大生产规模引发DRAM价格下降,或在技术方面奋起直追,都将对美国半导体行业形成实质性冲击。值得一提的是,有报道称苹果公司正寻求美国政府批准,允许其在美國以外地区销售的设备中使用长鑫存储供应的内存芯片。
长鑫科技的上市,不仅是一次创纪录的IPO,更是中国半导体产业发展的里程碑事件。南开大学金融学教授田利辉表示,传统增长依赖资源与要素扩张,而长鑫科技以技术自主撬动全球市场,印证了“技术突围替代资源驱动”的新路径。中国市场学会金融委员付立春指出,长鑫科技登陆科创板,体现了资本市场服务国家科技战略的能力持续提升。
从产业培育、一级市场融资到科创板上市,长鑫科技展现了一套适配重资产半导体行业的资本化发展闭环。而随着募集资金的落地和产能的持续释放,这家成立仅十年的中国芯片企业,正站在全球存储产业的牌桌上,开启一场改变行业格局的长期博弈。
关于长鑫科技上市,投资者最关心的问题都在这里。
长鑫科技已于2026年7月27日正式在上海证券交易所科创板挂牌上市,证券代码为688825。
发行价格为8.66元/股,对应发行总市值5791.88亿元(超额配售选择权行使前)。
首日开盘价49.50元(涨幅471.59%),收盘49.00元(涨幅465.82%),市值3.28万亿元超越工商银行,成交额1411.87亿元创A股历史纪录,换手率66.40%。
长鑫科技专注于DRAM(动态随机存取存储器)的研发、设计与生产,采用IDM全产业链模式,是中国第一、全球第四的DRAM厂商,与三星、SK海力士、美光并列为全球四大DRAM IDM企业。
2025年首次年度盈利18.75亿元,2026年一季度营收508亿元,净利润247.62亿元;预计2026年上半年营收1100-1200亿元,净利润500-570亿元,同比增长超2200%。
若全额行使超额配售权,募资总额约666.07亿元,为科创板史上最大IPO。资金投向三大方向:75亿用于晶圆制造量产线升级,130亿用于DRAM技术升级,90亿用于前瞻技术研发,合计295亿元。
预计上市满3个月后纳入科创综指。科创50方面,因符合超大市值快速纳入机制,最快2026年9月或12月纳入。
网上最终中签率为0.47141739%,单签500股,缴款门槛4330元,首日单签盈利约2万元。
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