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在人工智能浪潮推动下,存储芯片供应持续紧张,行业高管及华尔街分析师普遍预测,这场由HBM需求激增引发的“超级周期”将至少持续到2026-2027年,甚至更久,DRAM等内存价格已大幅上涨并可能继续走高。
人工智能浪潮下,芯片基础设施建设需求火爆,存储芯片的供应紧张问题也日益凸显。现在,一个共识正在形成:这场缺货潮的持续时间可能远超预期。多位半导体行业资深人士判断,供应短缺至少还会持续两到三年。
半导体设计软件巨头新思科技(Synopsys)的CEO萨西尼·加齐(Sassine Ghazi)给出了明确的时间表:芯片短缺将持续到2026年和2027年。
加齐解释说,当前全球顶级厂商生产的大部分内存芯片,都“直接流向了人工智能基础设施”。这导致需要内存芯片的其他众多市场,因产能不足而陷入困境。
尽管三星、SK海力士和美光这三大内存巨头正在努力扩大生产,但加齐指出,实现显著的产能扩张至少需要两年时间。这正是本轮短缺将长期持续的核心原因。
“现在是内存公司的黄金时期,”他表示。他还补充道,内存价格的上涨正迫使消费电子公司考虑提价,而这一趋势“已经在发生”。
传统的存储市场总在供应过剩和短缺之间循环。但这一次,情况大不相同。越来越多的业内人士和分析师认为,市场正进入一个“超级周期”——这意味着供应紧张和价格上涨将比以往任何时候都更持久、更广泛。
存储巨头美光科技在去年底就已做出类似预测。该公司表示,持续的行业需求叠加供应限制,已造成存储市场供应紧张,预计这一状况将延续到2026年以后。这意味着市场的上行周期至少会持续三年。
推动这一趋势的关键是HBM(高带宽内存)芯片的强劲需求。美光预测,到2028年,HBM市场的复合年增长率将达到约40%,从2025年的约350亿美元增长至2028年的约1000亿美元。与此同时,NAND闪存的需求通常会跟随HBM一同上涨,预示着当前的存储上升周期可能会从2024年一直持续到2028年。
布鲁姆斯伯里情报与安全研究所的分析则指出了问题的结构性根源:制造商正将晶圆产能从传统的DRAM转向生产HBM芯片。其结果是,DRAM价格同比上涨了171%,而DDR5的现货价格自2025年9月以来已经翻了四倍。
该机构预测,存储器价格可能在2027-2028年期间都将保持高位。只有当新的制造工厂实现量产后,价格才可能部分回落。如果届时AI需求放缓,那么市场可能要到2028-2029年才会重新出现供应过剩。
行业分析公司IDC也确认了半导体“超级周期”的到来,并预测在经历2023年的调整和2024年的复苏后,2024至2028年的半导体收入有望实现两位数的复合年增长率。
华尔街的投资机构也得出了相似的结论。
高盛在近期的报告中指出,新年以来,DDR5现货价格大幅上涨,而DDR4现货价格自2024年9月以来也持续走高。现货价格相对合约价格的巨大溢价,为DRAM合约价的后续上涨提供了强劲动力。

高盛还预测,三星今年的DRAM芯片平均定价将逐季环比增长,尤其是在第一季度,增幅预计可达50%。
与此同时,野村证券在其报告中将当前的市场状况定义为前所未有的“三重超级周期”,即DRAM、NAND和HBM的需求将在2026年同时激增。野村判断,在强劲的需求和有限的供应扩张共同作用下,这一超级周期将持续到2027年。
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