長鑫儲存5 月27 日上會：擬募資295 億元，市值可望衝擊2 兆元國產DRAM 迎來全新里程碑

2026年5月27日，中國大陸唯一實現DRAM大規模量產的長鑫儲存（長鑫科技）正式迎來上交所科創板IPO審議。本次公司擬募資295億元，名列科創板歷史第二大募資規模。市場普遍判斷，若順利過會，其整體市值將衝擊2兆元。此次IPO不僅是企業發展的關鍵一步，更標誌著國產記憶體晶片實現關鍵性突破，徹底改寫全球DRAM產業競爭格局。

一、IPO 核心資訊：審批進程與股權架構

1.1 上市審核時間線

長鑫儲存於2025 年12 月30 日遞交科創板IPO 申請，也是科創板首單預先審查試點項目，享受審批綠色通道。

2026 年5 月中旬公司更新年報及一季報數據，5 月27 日正式迎來上市委審議，IPO 進程進入最終環節。

1.2 股權結構

公司無實際控制人，合肥地方國資與國家大基金二期合計持股約35%，為第一大股東。國內五大國有銀行均已入股，同時配套員工持股平台，綁定核心技術與管理團隊。

二、業績反轉：從連年虧損到獲利爆發

DRAM 屬於重資產半導體賽道，2022 至2024 年，長鑫儲存處於產能爬坡與技術攻堅階段，累計虧損超366 億元。

2.1 2025 年成功轉虧

2025 年公司獲利，全年淨利71.44 億元，結束長期虧損狀態。

2.2 2026 年業績大幅成長

2026 年第一季營收508 億元，年增719%；淨利247.62 億元，年增幅1,688%，日均獲利2.75 億元。

結合企業預告，2026 年上半年營收預估1,100 億—1,200 億元，淨利500 億—570 億元，充分受惠於全球儲存產業高景氣週期。

三、產業地位：全球第四大DRAM 原廠

全球DRAM 市場長期由三星、SK 海力士、美光三家壟斷，合計市佔率超90%。

3.1 市場佔有率與產品佈局

長鑫儲存是國內唯一DRAM IDM 大廠，全球市佔率約10%，穩居產業第四。產品涵蓋DDR、LPDDR 等全系列記憶體晶片，廣泛應用於伺服器、PC、消費性電子，DDR5 已大量供貨，匹配AI 算力與資料中心需求。

3.2 國產產業價值

長鑫儲存補齊了國內自研DRAM 短板，與長江存儲形成國產存儲“雙核心”，築牢數位經濟、人工智慧產業鏈供應鏈安全。

四、市值邏輯：2 兆估值的三大支撐

市場給出2 兆市值預期，基於多重基本面支撐：

4.1 AI 帶動產業超級週期

人工智慧、雲端運算、大數據爆發，拉動高階記憶體需求持續走高，全球DRAM 市場進入上行週期。

4.2 超強獲利水平

亮眼的季度與半年度利潤數據，讓公司具備紮實的估值基礎，現金流能力位居A 股科技企業前列。

4.3 國產替代策略剛需

記憶體晶片屬於核心戰略元件，政策與下游本土企業持續傾斜，為企業帶來穩定訂單與長期成長空間。

五、295 億募資用途：聚焦產能、製程與前沿研發

本次295 億元募資將全數投向三大方向：晶圓製造產線升級，提升產能與良品率；推進DRAM 製程從17nm 向12nm 及以下迭代，縮小國際技術差距；佈局HBM 高頻寬記憶體、AI 專用儲存等前沿技術，搶佔未來賽道。

六、現存挑戰與產業風險

機會之下，產業風險同樣不容忽視：

第一，週期波動風險。 DRAM 價格隨供需大幅波動，本輪上行週期過後，產業未來1—2 年或進入下行區間，獲利承壓。

第二，技術代差。在先進製程、HBM 高階產品領域，長鑫與國際頭部企業仍有1—2 代差距，需持續高額研發投入。

第三，產能過剩隱憂。募款後大規模擴產，若市場需求回落，易出現供需失衡。

總結

2026 年5 月27 日長鑫儲存IPO 上會，是中國半導體產業、全球儲存產業的標誌性事件。依托強勁獲利、市場紅利與自主可控需求，公司可望成長為科創板新龍頭，衝擊2 兆市值。

技術追趕與全球化競爭仍是長期主線，長鑫儲存的發展，將持續推動中國從晶片進口大國向晶片製造強國轉型，重塑全球半導體產業格局。