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週五(4月24日)紐約尾盤,美元兌日圓跌0.18%,報159.42日元,本週累計上漲0.49%,整體持續走高,交投區間為158.46-159.84日圓。歐元兌日圓漲0.12%,報186.81日元,本週累漲0.10%;英鎊兌日圓漲0.28%,報215.667日元,本週累漲0.59%。

美國芝加哥聯邦儲備銀行全國活動指數 (3月)公:--
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美國當周初請失業金人數四週均值 (季調後)公:--
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美國當周續請失業金人數 (季調後)公:--
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加拿大工業品價格指數年增率 (3月)公:--
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美國當週EIA天然氣庫存變動公:--
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美國堪薩斯聯邦儲備銀行製造業產出指數 (4月)公:--
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美國堪薩斯聯邦儲備銀行製造業綜合指數 (4月)公:--
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阿根廷零售銷售年增率 (2月)公:--
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美國當週外國央行持有美國公債公:--
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日本全國CPI月增率 (3月)公:--
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日本全國核心CPI年增率 (3月)公:--
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日本全國CPI月增率 (未季調) (3月)公:--
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日本CPI月增率 (3月)公:--
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日本全國CPI年增率 (3月)公:--
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英國零售銷售月增率 (季調後) (3月)公:--
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英國零售銷售年增率 (季調後) (3月)公:--
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英國核心零售銷售年增率 (季調後) (3月)公:--
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德國IFO商業預期指數 (季調後) (4月)公:--
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德國IFO商業景氣指數 (季調後) (4月)公:--
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德國IFO商業現況指數 (季調後) (4月)公:--
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俄羅斯關鍵利率公:--
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巴西貿易經常帳 (3月)公:--
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印度存款增長年增率公:--
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墨西哥經濟活動指數年增率 (2月)公:--
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墨西哥失業率 (未季調) (3月)公:--
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加拿大零售銷售月增率 (季調後) (2月)公:--
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加拿大核心零售銷售月增率 (季調後) (2月)公:--
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加拿大聯邦政府預算餘額 (2月)公:--
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美國當週鑽井總數公:--
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美國當周石油鑽井總數公:--
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中國大陸工業利潤年增率 (年初至今) (3月)--
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德國GFK消費者信心指數 (季調後) (5月)--
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英國CBI零售銷售差值 (4月)--
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英國CBI零售銷售預期指數 (4月)--
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墨西哥貿易帳 (3月)--
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加拿大全國經濟信心指數--
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美國達拉斯聯邦儲備銀行商業活動指數 (4月)--
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美國達拉斯聯邦儲備銀行新訂單指數 (4月)--
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美國5年期公債拍賣平均殖利率--
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美國2年期公債拍賣平均殖利率--
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英國BRC商店物價指數年增率 (4月)--
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日本失業率 (3月)--
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日本基準利率--
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日本央行貨幣政策聲明
日本央行總裁植田和男召開貨幣政策記者會
意大利PPI年增率 (3月)--
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法國失業人數 (Class A) (3月)--
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印度工業生產指數年增率 (3月)--
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印度製造業產出月增率 (3月)--
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美國當周紅皮書同店零售銷售指數年增率--
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美國標普/CS20座大城市房價指數月增率 (未季調) (2月)--
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美國S&P/CS20座大城市房價指數 (未季調) (2月)--
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美國標普/CS20座大城市房價指數年增率 (未季調) (2月)--
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美國標普/CS20座大城市房價指數月增率 (季調後) (2月)--
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美國FHFA房價指數月增率 (2月)--
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美國FHFA房價指數年增率 (2月)--
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美國標普/CS10座大城市房價指數月增率 (未季調) (2月)--
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美國標普/CS10座大城市房價指數年增率 (2月)--
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無匹配數據
在人工智慧浪潮推動下,記憶體晶片供應持續緊張,產業高層及華爾街分析師普遍預測,這場由HBM需求激增引發的「超級週期」將至少持續到2026-2027年,甚至更久,DRAM等記憶體價格已大幅上漲並可能繼續走高。
人工智慧浪潮下,晶片基礎設施建設需求火爆,儲存晶片的供應緊張問題也日益凸顯。現在,一個共識正在形成:這場缺貨潮的持續時間可能遠遠超出預期。多位半導體產業資深人士判斷,供應短缺至少還會持續兩到三年。
半導體設計軟體巨頭新思科技(Synopsys)的CEO薩西尼·加齊(Sassine Ghazi)給出了明確的時間表:晶片短缺將持續到2026年和2027年。
加齊解釋說,目前全球頂級廠商生產的大部分記憶體晶片,都「直接流向了人工智慧基礎設施」。這導致需要內存晶片的其他眾多市場,因產能不足而陷入困境。
儘管三星、SK海力士和美光這三大記憶體巨頭正在努力擴大生產,但加齊指出,要實現顯著的產能擴張至少需要兩年時間。這正是這一輪短缺將長期持續的核心原因。
「現在是內存公司的黃金時期,」他表示。他還補充道,記憶體價格的上漲正迫使消費電子公司考慮提價,而這一趨勢「已經在發生」。
傳統的儲存市場總在供應過剩和短缺之間循環。但這一次,情況大不相同。越來越多的業內人士和分析師認為,市場正進入一個「超級週期」——這意味著供應緊張和價格上漲將比以往任何時候都更持久、更廣泛。
儲存巨頭美光科技在去年底就已經做出類似預測。該公司表示,持續的產業需求疊加供應限制,已造成儲存市場供應緊張,預計這一狀況將延續到2026年後。這意味著市場的上行週期至少會持續三年。
推動這一趨勢的關鍵是HBM(高頻寬記憶體)晶片的強勁需求。美光預測,到2028年,HBM市場的複合年增長率將達到約40%,從2025年的約350億美元成長至2028年的約1,000億美元。同時,NAND快閃記憶體的需求通常會跟隨HBM一同上漲,預示著當前的儲存上升週期可能會從2024年持續到2028年。
布魯姆斯伯里情報與安全研究所的分析則指出了問題的結構性根源:製造商正將晶圓產能從傳統的DRAM轉向生產HBM晶片。結果是,DRAM價格年增了171%,而DDR5的現貨價格自2025年9月以來已經翻了四倍。
該機構預測,記憶體價格可能在2027-2028年期間都將保持在高位。只有當新的製造工廠實現量產後,價格才可能部分回落。如果屆時AI需求放緩,那麼市場可能要到2028-2029年才會重新出現供應過剩。
產業分析公司IDC也確認了半導體「超級週期」的到來,並預測在經歷2023年的調整和2024年的復甦後,2024至2028年的半導體收入有望實現兩位數的複合年增長率。
華爾街的投資機構也得出了相似的結論。
高盛在近期的報告中指出,新年以來,DDR5現貨價格大幅上漲,而DDR4現貨價格自2024年9月以來也持續走高。現貨價格相對合約價格的巨大溢價,為DRAM合約價的後續上漲提供了強勁動力。

高盛也預測,三星今年的DRAM晶片平均定價將逐季環比成長,尤其是在第一季度,增幅預計可達50%。
同時,野村證券在其報告中將當前的市場狀況定義為前所未有的“三重超級週期”,即DRAM、NAND和HBM的需求將在2026年同時激增。野村判斷,在強勁的需求和有限的供應擴張共同作用下,這個超級週期將持續到2027年。
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